Новое семейство IGBT Infineon L5 с низким напряжением насыщения (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ специально оптимизировано для низких частот переключения, которые варьируются от 50 Гц до 20 кГц. Оптимизация профиля несущего сигнала инновационной технологии тонкого wafer-плоского структуры 55 µm TRENCHSTOP™ позволяет снизить потери на проводимость до исходно низкого уровня — 1,05 В для IGBT мощностью 30 А и 1,1 В для IGBT мощностью 75 А.

| Attribute | Attribute Value |
|---|---|
| Datasheet | Datasheet |
| 3D Model | 3D Model |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Pins | 3 Pin |
| Case/Package | TO-247-3 |
| Operating Temperature (Max) | 175 ℃ |
| Operating Temperature (Min) | -40 ℃ |
| Power Dissipation (Max) | 227000 mW |
| Show | |
| Product Lifecycle Status | Active |
| Packaging | Rail, Tube |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Lead-Free Status | Lead Free |