Интегральная схема для управления выходами высокого и низкого напряжения 200 В, с типичным током источника 0,29 А и током поглощения 0,6 А в корпусе 8-контактного типа PDIP для ИГТБ и MOSFET. Также доступна в корпусе 8-контактного типа SOIC и 14-контактного типа MLPQ 4x4.

| Attribute | Attribute Value |
|---|---|
| Datasheet | Datasheet |
| 3D Model | 3D Model |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Pins | 8 Pin |
| Case/Package | DIP-8 |
| Power Rating | 1 W |
| Rise/Fall Time | 70ns, 35ns |
| Number of Outputs | 2 Output |
| Output Voltage | 200 V |
| Output Current | 290.600 mA |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Number of Positions | 8 Position |
| Power Dissipation | 1000 mW |
| Fall Time (Max) | 60 ns |
| Rise Time (Max) | 100 ns |
| Operating Temperature (Max) | 125 ℃ |
| Operating Temperature (Min) | -40 ℃ |
| Power Dissipation (Max) | 1000 mW |
| Supply Voltage | 10V ~ 20V |
| Supply Voltage (Max) | 20 V |
| Supply Voltage (Min) | 10 V |
| Show | |
| Size-Length | 10.92 mm |
| Size-Width | 7.11 mm |
| Size-Height | 5.33 mm |
| Operating Temperature | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
| Product Lifecycle Status | Not Recommended for New Designs |
| Packaging | Tube |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Lead-Free Status | Lead Free |